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冶金与材料工程学院 校外硕士研究生导师 马荣耀

作者:点击数:

姓    名

马荣耀

出生年月

1983.7

 

学历/学位

研究生/硕士

职    称

高级工程师

学科专业

微电子学与固体电子学

研究方向

半导体工艺与器件设计(功率半导体方向)

联系电话

18980653344

E-mail

marongyao@126.com

所在单位

华润微电子(重庆)有限公司

通讯地址

重庆市沙坪坝区西永大道25号

邮编

401331

基本情况(含教学科研经历):

u 2014.1   至今:   前中航(重庆)微电子有限公司(skysilicon)-高压器件研发产品线经理。

u 2010.7-2014.4:美国芯源系统有限公司(MPS),器件研发中心。(2011.3-2011.10&2013.10-2014.1美国加州总部)

u 2007.9-2010.7:  电子科技大学微电子与固体电子学院功率集成技术国家重点实验室  

攻读硕士学位

u 2003.9-2007.7:  湖南大学物理与微电子科学学院攻读学士学位

 

2014-至今 华润微电子重庆研发部:

p 高压功率器件研发—项目总负责人

n 新型高压超结器件Super-junction MOS研发,目前首批第一代产品达到国际主流产品水平。第二代产品即将通过评估,性能优于市场主流产品。

2010-2014 MPS 研发中心:

p Co-pack 系列产品研发—项目负责人

n Co-pack 功率器件设计及工艺开发:基于先进工艺的20V-150V trench MOSFET, SBD, HV-VDMOSFET 和 Diode。

n 针对Co-pack芯片叠加的版图及工艺开发。

n Co-package封装支持.

p 高性能器件研发—项目负责人

n 基于TBI, TBO, Super-Junction技术及其他先进工艺,低FOM值(高速) 分立功率MOSFET器件研发。

n Super-junction 高压MOSFET 研发。

n Split-gate 功率MOSFET研发。

n 基于肖特基集成的快速恢复功率MOSFET和Diode研发。

n PFC应用中,低VF及软恢复高压功率Diode研发。

n 集成JFET(电压感应)的低压MOSFET研发。

n 基于MPS BCM工艺的集成低压上下管功率器件研发。

p 传统分立器件研发—项目负责人 

n 低压trench MOSFET(20V-120V), HV-VDMOSFET, HV-diodes: TN20,TN20-ESD, TN/TP30,  TN30-SBD,  TN60, TN75-ebike, TN75-HID lamp, TN100, TN120 trench MOSFET, 600V-700V VDMOSFET and Diodes 研发。

p 低成本分立器件开发—项目负责人

n 3-5层mask的20V~100V trench MOSFET研发。

2007-2010 电子科技大学功率集成实验室:

p IGBT研发

n 1200V/43A NPT-IGBT 开发: 正向压降Vf~ 2.1V (@ Ic=11A), BV>1250V。

p VDMOS 系列产品研发

n 实验室同国内公司合作开发200V-700V planar VDMOSFET系列产品。

p 650v, 700v VDMOS EAS 改进项目

n 通过器件结构设计,工艺调整和版图改进,实现高压器件优良EAS能力。

 

主要教学科研成果:

国内外期刊和会议:

u Year2008: 马荣耀,钱梦亮,李泽宏 “一种槽栅MOS控制的晶闸管” 四川省电子学会-半导体与集成技术专委会2008年学术会。

u Year2009: Zehong Li, Mengliang Qian, Rongyao Ma, et al “Trench IGBT with Carrier Bypass Region” ICCCAS’09

u Year2010: Rongyao Ma, Zehong Li, Xin Hong, et al, “Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor with P-Floating Layer”(Journal of Semiconductor 2010:2.  And domestic patent.)

主要专利:

u Year2010 in MPS:  Lei Zhang Don Disney, Tiesheng Li Rongyao Ma, “Trench-gate DMOS With Combined Junction and Capacitively Depleted Drift Region”

u Year2010 in MPS:  Lei Zhang Don Disney, Tiesheng Li Rongyao Ma, “UIS capability enhanced Trench-gate MOSFET

u Year2011 in MPS: Rongyao Ma, Tiesheng Li, Don. Disney, “Low gate charge MOSFET, realized by novel process and structure design”.

u Year2011 in MPS: Tiesheng Li, Rongyao Ma, Lei Zhang, Don Disney, “Split Trench-Gate Mosfet with Integrated Schottky Diode”

u Year2011 in MPS: Rongyao Ma, Tiesheng Li, Don. Disney, “Low gate charge MOSFET, realized by novel process and structure design”-(layout patent).

u Year2012 in MPS:  Lei Zhang, Tiesheng Li Rongyao Ma, Daping Fu “Trench-Gate MOSFET Integrated Vertical JFET”

u Year2012 in MPS: Rongyao Ma, Tiesheng Li, Lei Zhang, “P-shield JFET integrated in Vertical Power MOSFET”

u Year2012 in MPS: Rongyao Ma, Tiesheng Li, Daping Fu “Improved ESD structure and process”

u Year2012 in MPS: Rongyao Ma, Tiesheng Li, “Wave ESD in Power MOSFET”

u Year2012 in MPS: Rongyao Ma, Tiesheng Li, Daping Fu “Tunnel ESD structure in Trench MOSFET”

u Year2013 in MPS: Tiesheng Li, Rongyao Ma “trench termination with P-type(n-type for P channel) implanting in Trench bottom”

u Year2013 in MPS: Rongyao Ma, Tiesheng Li “RESURF trench termination”

u Year2014 中航微电子:马荣耀“一种新型Super-Junction制造工艺

u Year2014 中航微电子:马荣耀“非完全P柱连接Super-Junction

u Year2014 中航微电子:马荣耀“增强型电荷平衡Super-junction芯片角落版图设计

u Year2014 中航微电子:马荣耀“超级结布局结构

u Year2015 中航微电子:马荣耀“高耐用度Super-junction过渡区及终端结构设计

u Year2015 中航微电子:马荣耀“带有超级结结构设计的半导体器件

u Year2015 中航微电子:马荣耀“Super-junction终端结构及其版图

u Year2016 中航微电子:马荣耀“一种新型Super-Junction设计及制造工艺

u Year2016 中航微电子:马荣耀“超级结构

 

目前主持的科研课题:

1. 2017.07-2020.12 用于小型化电源模块的高速GaN基电力电子研究;国家科技部重大研发计划;600万

2. 2015.06-2018.03高压超结工艺Gen1平台及产品研发;华润微电子(重庆)有限公司;200万

3. 2016.06-2019.12高压超结工艺Gen2平台及产品研发;华润微电子(重庆)有限公司;200万

 

地址:重庆市沙坪坝区大学城东路20号-博学楼F111   邮编:401331   电话:023-65023287,023-65023226   E-Mail:cqustxkb@163.com  

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