设为首页 加入收藏

当前位置: 首页>>导师队伍>>冶金学院>>正文

冶金与材料工程学院 校外硕士研究生导师 焦伟

作者:点击数:

姓    名

焦伟

出生年月

1978.01

 

学历/学位

研究生/工程硕士

职    称

工程师

学科专业

微电子

研究方向

先进半导体功率器件

联系电话

18616573830

E-mail

wei.jiao@skysilicon.com

所在单位

华润微电子(重庆)有限公司

通讯地址

重庆市沙坪坝区西永大道25号

邮编

401331

基本情况(含教学科研经历):

本人长期致力于先进半导体功率器件的工艺平台研发、制造、产品开发及商业化;在Split Gate  Trench MOSFET(屏蔽栅沟槽MOSFET)、IGBT、TVS等领域有着卓越的成功开发、制造及商业化经历,先后服务过上海先进、新加坡GLOBALFOUNDRIES(格芯)、华润微电子等国内外著名半导体公司,曾和国际一流的Infineon(英飞凌)、NXP(恩智浦)、TI(德州仪器)等公司合作开发工艺和产品。最近主导研发的Split Gate  Trench MOSFET(屏蔽栅沟槽MOSFET)技术达到国际一流水平,市场反馈优异,17年达成1亿元以上销售额,18年预计达到3亿元以上销售。

2001.07-2003.07 华越微电子有限公司 – 扩散部工艺工程师:主要负责开发扩散部工艺recipe,解决工艺中工程问题;

2003.08 -2007.06 上海先进半导体有限公司 – 工艺整合部资深工程师:负责BiCMOS / Bipolar / TVS 等工艺的建立,维护,问题解决和工艺优化改进,主要经历是在Semtech 客户的TVS技术上;

2007.07- 2011.02 GLOBALFOUNDRIES(新加坡特许半导体有限公司) -工艺整合部资深工程师:主导了TI (德州仪器) 公司的合作开发项目-NextFet器件技术,其以通信产品(iPhone)为主要应用对象;参与了NXP(恩智浦)客户先进TrenchMOS 技术转移项目,从NXP英国Hazel Grove生产线成功地转移了先进TrenchMOS工艺到特许新加坡8寸生产线;

2011.03-2012.06 上海先进半导体有限公司 – 工艺整合分部经理:负责ASMC的三大核心领域之 - IGBT工艺技术,带领团队迅速的重新上量Infineon(英飞凌)IGBT工艺到超过12,000 片/月, 同时成功地开发了国内客户IGBT技术平台;

2012.07至今 中航 (重庆) 微电子有限公司/华润微电子(重庆)有限公司 – 研发经理/研发总监:作为团队领导者和技术提供者,带领团队成功的完成了中航自主的Split Gate技术平台和产品开发工作并规模量产;成功开发了与客户合作的Depletion-mode (耗尽型) HVMOS技术平台并小规模量产;领导了早期的Super Junction和FRD开发工作。

主要教学科研成果:

在新加坡特许半导体有限公司主导了TI (德州仪器) 公司的合作开发项目-NextFet器件技术,其以通信产品(iPhone)为主要应用对象;参与了NXP(恩智浦)客户先进TrenchMOS 技术转移项目,从NXP英国Hazel Grove生产线成功地转移了先进TrenchMOS工艺到特许新加坡8寸生产线;

在上海先进半导体有限公司带领团队大规模量产Infineon(英飞凌)IGBT产品,月产出超过12,000 片/月, 同时成功地开发了国内客户IGBT技术平台;

在中航 (重庆) 微电子有限公司/华润微电子(重庆)有限公司,作为团队领导者和技术提供者,带领团队成功的完成了中航自主的Split Gate技术平台和产品开发工作并实现大规模量产; 技术水平达到国际一流水平;申请了多项发明专利;产品在市场上反馈优异,17年达成1亿元以上销售额,18年预计达到3亿元以上销售。

目前主持的科研课题:

1.2017.05-2019.09快充电源用先进Split Gate Gen2 MOSFET(屏蔽栅沟槽MOSFET)器件工艺平台开发及产品化, 经费300万元

2. 2017.03-2019.12 低速电动汽车/电动车用150V Split Gate MOSFET(屏蔽栅沟槽MOSFET)器件工艺平台开发及产品化, 经费200万元

 

电话:023-65023287,023-65023226,023-65022031   E-Mail:cqustxkb@163.com

地址:重庆市沙坪坝区大学城东路20号-厚德楼H111   邮编:401331  

重庆科技学院研究生处(学科建设办公室)版权所有